Infineon launches first 2000V SiC Schottky diode

23.10.24 15:07 Uhr

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Many industrial applications are transitioning to higher power levels with minimized power losses, which can be achieved through increased DC link voltage. Infineon Technologies AG of Munich, Germany has hence addressed this challenge by introducing the CoolSiC Schottky diode 2000V G5, which is claimed to be the first discrete silicon carbide diode on the market with a breakdown voltage of 2000V. The product family is suitable for applications with DC link voltages up to 1500VDC and offers current ratings from 10A to 80A, making it suitable for higher DC link voltage applications such as in solar and electric vehicle (EV) charging applications...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today

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Quelle: Semiconductor Today

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13.11.2024Infineon BuyJefferies & Company Inc.
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18.11.2024Infineon HaltenDZ BANK
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12.11.2024Infineon NeutralJP Morgan Chase & Co.
29.10.2024Infineon NeutralJP Morgan Chase & Co.
08.10.2024Infineon HaltenDZ BANK
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30.06.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
09.06.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
12.05.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
05.05.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
04.05.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.

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