Der Chipkonzern hat eine Schleiftechnik entwickelt, mit der sich ein Silizium-Leistungshalbleiter-Wafer von 20 Mikrometern Dicke herstellen lässt, wie er jetzt in München mitteilte. Das entspricht einem Viertel der Dicke eines menschlichen Haares und einer Halbierung verglichen mit dem bisher Möglichen.

In der Stromversorgung von Rechenzentren, in der Motorsteuerung und bei Computing-Anwendungen führen Chips auf dieser Basis laut Infineon zu deutlich geringeren Leistungsverlusten. Verglichen mit konventionellen Silizium-Wafern mit 40 bis 60 Mikrometern Dicke könnten diese um mehr als 15 Prozent reduziert werden.

Die Technologie sei bereits bei Kunden qualifiziert worden, so das Unternehmen. In den nächsten drei bis vier Jahren solle der 20-Mikrometer-Prozess die konventionellen Silizium-Wafer für Niedervolt-Stromversorgungen ersetzen. Die Integration in die Produktion erfordere keine zusätzlichen Investitionen.

"Da der Energiebedarf für KI-Rechenzentren rapide ansteigt, gewinnt Energieeffizienz immer mehr an Bedeutung", sagte Adam White, Leiter der Sparte Power & Sensor Systems. "Wir erwarten, dass unser KI-Geschäft in den kommenden zwei Jahren ein Volumen von 1 Milliarde Euro erreichen wird."

Die Infineon-Aktie notiert via XETRA zeitweise 1,45 Prozent tiefer bei 30,53 Euro.

FRANKFURT (Dow Jones)