ST and Innoscience sign GaN power device technology development and manufacturing agreement
07.04.25 10:28 Uhr
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STMicroelectronics of Geneva, Switzerland and InnoScience (Suzhou) Technology Holding Co Ltd - which manufactures gallium nitride (GaN) power chips on 8” silicon wafers - have signed an agreement on GaN technology development and manufacturing, leveraging the strengths of each company to enhance GaN power solutions and supply chain resilience...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
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Der Hebel muss zwischen 2 und 20 liegen
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Quelle: Semiconductor Today
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