EPC launches EPC2367 100V GaN FET with 1.2mΩ on-resistance
18.03.25 11:13 Uhr
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Efficient Power Conversion Corp (EPC) of El Segundo, CA, USA — which makes enhancement-mode gallium nitride on silicon (eGaN) power field-effect transistors (FETs) and integrated circuits for power management applications — has introduced the EPC2367, a next-generation 100V eGaN FET that delivers high performance and efficiency as well as lower system costs for power conversion applications...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
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Quelle: Semiconductor Today
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