IQE and X-FAB sign JDA to develop European-based GaN power outsourced manufacturing platform
10.04.25 10:59 Uhr
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Epiwafer and substrate maker IQE plc of Cardiff, Wales, UK and analog/mixed-signal and specialty foundry X-FAB Silicon Foundries SE of Tessenderlo, Belgium have announced a joint development agreement (JDA) to create a European-based gallium nitride (GaN) power device platform solution...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
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Quelle: Semiconductor Today
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