Teledyne HiRel releases high-power 30MHz-5GHz RF GaN switch
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Teledyne HiRel Semiconductors of Milpitas, CA, USA (part of the Teledyne Defense Electronics Group that provides solutions, sub-systems and components to the space, transportation, defense and industrial markets) has announced the availability of its model TDSW84230EP gallium nitride (GaN) high-power RF switch. Optimized for aerospace & defense applications, it offers high peak power and is designed to replace positive-intrinsic-negative (PIN) diode-based RF switches commonly used in RF front ends of tactical and military communication radio systems...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
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Der Hebel muss zwischen 2 und 20 liegen
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Quelle: Semiconductor Today
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