High-breakdown-voltage P-GaN gate HEMTs with threshold voltage of 7.1V
Werte in diesem Artikel
Shandong University has reported an enhancement-mode P-GaN/AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high-electron-mobility transistors (MIS-HEMTs) by combining thermal oxidation treatment of P-GaN with atomic layer deposition (OTALD) prior to gate metal deposition [Siheng Chen et al, IEEE Electron Device Letters, vol. 45, no. 12, pp2343–2346, December 2024, doi: 10.1109/LED.2024.3478819]. Compared with traditional devices, the device presented increased threshold voltage significantly from 1.8V to 7.1V, with improved gate breakdown voltage and off-state breakdown voltage of 26.9V and 1980V, respectively...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
Ausgewählte Hebelprodukte auf GAN
Mit Knock-outs können spekulative Anleger überproportional an Kursbewegungen partizipieren. Wählen Sie einfach den gewünschten Hebel und wir zeigen Ihnen passende Open-End Produkte auf GAN
Der Hebel muss zwischen 2 und 20 liegen
| Name | Hebel | KO | Emittent |
|---|
| Name | Hebel | KO | Emittent |
|---|
Quelle: Semiconductor Today
Nachrichten zu GAN Limited Registered Shs
Analysen zu GAN Limited Registered Shs
Keine Analysen gefunden.