TOYOTA setzt im neuen bZ4X-Modell auf Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter von Infineon
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München und Tokio, Japan 9. Februar 2026 Die Infineon Technologies AG hat heute bekannt gegeben, dass ihre CoolSiC-MOSFETs, Leistungs-MOSFETs auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), im neuen bZ4X-Modell von Toyota, dem weltweit größten Automobilhersteller, zum Einsatz kommen. Die SiC-MOSFETs werden im On-Board-Ladegerät (OBC) und dem DC/DC-Wandler eingesetzt und nutzen die Vorteile des Materials wie geringe Verluste, eine hohe thermische Belastbarkeit und eine hohe Spannungsfestigkeit, um die Reichweite zu erhöhen und die Ladezeit zu verkürzen.Weiter zum vollständigen Artikel bei Infineon Technologies AG
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Der Hebel muss zwischen 2 und 20 liegen
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Quelle: Infineon
