CoolGaN™ G3-Transistor in neuen Gehäusen mit Silizium-Footprint treibt industrieweite Standardisierung voran

18.02.25 10:21 Uhr

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München, 18. Februar 2025 – Für die Leistungselektronik spielt die Galliumnitrid-Technologie (GaN) eine entscheidende Rolle, um höchste Leistungsniveaus zu erreichen. Bisher haben die GaN-Lieferanten jedoch unterschiedliche Ansätze bei den Gehäusetypen und -größen verfolgt, was zu einer Fragmentierung auf dem Markt und einem Mangel an Footprint-kompatiblen Alternativen für Kunden geführt hat. Um diese Herausforderung zu bewältigen, präsentiert die Infineon Technologies AG den leistungsstarken Galliumnitrid-Transistor CoolGaN™ G3 mit 100 V im RQFN-5x6-Gehäuse (IGD015S10S1) und 80 V im RQFN-3,3x3,3-Gehäuse (IGE033S08S1).Weiter zum vollständigen Artikel bei Infineon Technologies AG

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Quelle: Infineon

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DatumRatingAnalyst
19.02.2025Infineon BuyUBS AG
14.02.2025Infineon NeutralJP Morgan Chase & Co.
10.02.2025Infineon BuyDeutsche Bank AG
10.02.2025Infineon OutperformBernstein Research
08.02.2025Infineon BuyJefferies & Company Inc.
DatumRatingAnalyst
19.02.2025Infineon BuyUBS AG
10.02.2025Infineon BuyDeutsche Bank AG
10.02.2025Infineon OutperformBernstein Research
08.02.2025Infineon BuyJefferies & Company Inc.
05.02.2025Infineon BuyWarburg Research
DatumRatingAnalyst
14.02.2025Infineon NeutralJP Morgan Chase & Co.
05.02.2025Infineon NeutralJP Morgan Chase & Co.
04.02.2025Infineon HaltenDZ BANK
04.02.2025Infineon NeutralJP Morgan Chase & Co.
03.02.2025Infineon NeutralJP Morgan Chase & Co.
DatumRatingAnalyst
30.06.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
09.06.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
12.05.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
05.05.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
04.05.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.

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