Infineon stellt dünnsten Silizium-Power-Wafer der Welt vor – Technologischer Meilenstein für mehr Energieeffizienz

München, Deutschland – 29. Oktober 2024 – Nach der Ankündigung der weltweit ersten 300-Millimeter-Galliumnitrid (GaN)-Wafer-Technologie für Leistungselektronik und der Eröffnung der weltweit größten 200-Millimeter-„Siliziumcarbid (SiC) Power Fab“  in Kulim, Malaysia, hat die Infineon Technologies AG jetzt den nächsten Meilenstein in der Halbleitertechnologie erreicht. Mit einer Dicke von nur 20 Mikrometern hat Infineon einen Durchbruch in Herstellung und Verarbeitung der dünnsten Silizium (Si)-Leistungshalbleiter-Wafer erzielt, die jemals in einer hochskalierten Halbleiterfabrik hergestellt wurden. Die Silizium-Dünnwafer sind nur ein Viertel so dick wie ein menschliches Haar und halb so dick wie die aktuell fortschrittlichsten Wafer.Weiter zum vollständigen Artikel bei Infineon Technologies AG Weiter zum vollständigen Artikel bei Infineon Technologies AG