X-FAB launches next-gen silicon carbide process platform for power MOSFET designs
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As its next-generation XbloX platform, analog/mixed-signal, MEMS and specialty foundry X-FAB Silicon Foundries SE of Tessenderlo, Belgium has launched XSICM03 (available now for early access), advancing silicon carbide (SiC) process technology for power metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs). A significantly reduced cell pitch enables increased die per wafer and improved on-state resistance without compromising reliability, the firm says...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
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Der Hebel muss zwischen 2 und 20 liegen
Name | Hebel | KO | Emittent |
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Quelle: Semiconductor Today
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