Toshiba and SICC sign MOU on silicon carbide power semi wafer collaboration
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corp of Kawasaki, Japan and Chinese silicon carbide (SiC) supplier SICC Co Ltd have signed a memorandum of understanding (MOU) to explore collaboration in improving the characteristics and quality of silicon carbide (SiC) power semiconductor wafers developed and manufactured by SICC, and expanded supply of stable, high-quality wafers from SICC to Toshiba. The two firms will discuss the scope of their joint efforts and mutual support...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
Quelle: Semiconductor Today
Nachrichten zu Toshiba Corp.
Analysen zu Toshiba Corp.
Datum | Rating | Analyst | |
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02.02.2012 | Toshiba neutral | Credit Suisse Group | |
04.01.2012 | Toshiba buy | Nomura | |
02.12.2011 | Toshiba buy | Citigroup Corp. | |
04.10.2011 | Toshiba outperform | Macquarie Research | |
29.08.2011 | Toshiba outperform | Macquarie Research |
Datum | Rating | Analyst | |
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04.01.2012 | Toshiba buy | Nomura | |
02.12.2011 | Toshiba buy | Citigroup Corp. | |
04.10.2011 | Toshiba outperform | Macquarie Research | |
29.08.2011 | Toshiba outperform | Macquarie Research | |
11.08.2011 | Toshiba outperform | Macquarie Research |
Datum | Rating | Analyst | |
---|---|---|---|
02.02.2012 | Toshiba neutral | Credit Suisse Group | |
09.04.2010 | Toshiba Stoppkurs bei 410 Yen setzen | Focus Money | |
05.02.2009 | Toshiba außen vor bleiben | Asia Investor | |
05.04.2007 | Toshiba halten | Wertpapier | |
11.01.2007 | Toshiba Stoppkurs bei 690 Yen | Focus Money |
Datum | Rating | Analyst | |
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