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Infineon erweitert strahlungstolerantes Leistungs-MOSFET-Portfolio für die Raumfahrt mit erstem P-Kanal-Baustein

05.03.25 15:21 Uhr
Werte in diesem Artikel
Aktien
Infineon AG
36,21 EUR 1,51 EUR 4,34%
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München, 5. März 2025 – Infineon Technologies hat seine Produktfamilie von strahlungstoleranten Leistungs-MOSFETs für Low-Earth-Orbit (LEO)-Raumfahrtanwendungen um einen P-Kanal-Leistungs-MOSFET erweitert. Die neuen Bauteile sind Teil des wachsenden Portfolios von Infineon, das für „NewSpace“-Anwendungen der nächsten Generation entwickelt wird. Es handelt sich um kostenoptimierte, strahlungstolerante MOSFETs, die es Entwicklern ermöglichen, Designs mit kleineren und leichteren Bauteilen schneller auf den Markt zu bringen. Die MOSFETs erfüllen darüber hinaus die Anforderungen bezüglich Strahlungsfestigkeit für Missionen von zwei bis fünf Jahren.Weiter zum vollständigen Artikel bei Infineon Technologies AG

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Quelle: Infineon

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25.02.2025Infineon OutperformBernstein Research
19.02.2025Infineon BuyUBS AG
14.02.2025Infineon NeutralJP Morgan Chase & Co.
10.02.2025Infineon BuyDeutsche Bank AG
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25.02.2025Infineon OutperformBernstein Research
19.02.2025Infineon BuyUBS AG
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08.02.2025Infineon BuyJefferies & Company Inc.
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14.02.2025Infineon NeutralJP Morgan Chase & Co.
05.02.2025Infineon NeutralJP Morgan Chase & Co.
04.02.2025Infineon HaltenDZ BANK
04.02.2025Infineon NeutralJP Morgan Chase & Co.
03.02.2025Infineon NeutralJP Morgan Chase & Co.
DatumRatingAnalyst
30.06.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
09.06.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
12.05.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
05.05.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.
04.05.2023Infineon UnderperformJefferies & Company Inc.

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