DB HiTek begins customer enablement for 650V GaN HEMT process
11.09.25 15:04 Uhr
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The 8-inch specialty foundry DB HiTek of Seoul, South Korea says it is in the final stages of development of its 650V E-mode gallium nitride (GaN) high-electron-mobility transistor (HEMT) process for power semiconductor applications. Also, at the end of October, the firm is offering a dedicated GaN multi-project wafer (MPW) program...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
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Der Hebel muss zwischen 2 und 20 liegen
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Quelle: Semiconductor Today
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