Toshiba ships early test samples of bare die 1200V SiC MOSFET
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Toshiba Electronic Devices & Storage Corp has developed new 1200V silicon carbide (SiC) MOSFETs with an innovative structure that delivers both low on-resistance (RDS(ON)) and high reliability. The devices are particularly suited to automotive applications such as traction inverters. They are now available and shipping as early test samples in bare die format, allowing users to customize the bare die to meet their specific design needs and realize solutions for their applications...Weiter zum vollständigen Artikel bei Semiconductor Today
Quelle: Semiconductor Today
Nachrichten zu Toshiba Corp.
Analysen zu Toshiba Corp.
| Datum | Rating | Analyst | |
|---|---|---|---|
| 02.02.2012 | Toshiba neutral | Credit Suisse Group | |
| 04.01.2012 | Toshiba buy | Nomura | |
| 02.12.2011 | Toshiba buy | Citigroup Corp. | |
| 04.10.2011 | Toshiba outperform | Macquarie Research | |
| 29.08.2011 | Toshiba outperform | Macquarie Research |
| Datum | Rating | Analyst | |
|---|---|---|---|
| 04.01.2012 | Toshiba buy | Nomura | |
| 02.12.2011 | Toshiba buy | Citigroup Corp. | |
| 04.10.2011 | Toshiba outperform | Macquarie Research | |
| 29.08.2011 | Toshiba outperform | Macquarie Research | |
| 11.08.2011 | Toshiba outperform | Macquarie Research |
| Datum | Rating | Analyst | |
|---|---|---|---|
| 02.02.2012 | Toshiba neutral | Credit Suisse Group | |
| 09.04.2010 | Toshiba Stoppkurs bei 410 Yen setzen | Focus Money | |
| 05.02.2009 | Toshiba außen vor bleiben | Asia Investor | |
| 05.04.2007 | Toshiba halten | Wertpapier | |
| 11.01.2007 | Toshiba Stoppkurs bei 690 Yen | Focus Money |
| Datum | Rating | Analyst | |
|---|---|---|---|
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